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GB∕T 26071-2018 太阳能电池用硅单晶片

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GB∕T 26071-2018 太阳能电池用硅单晶片

ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准2018-09-17发布GB/ T 26071-2018 代替GB/T26071- 2010 太阳能电池用硅单晶片Monocrystalline silicon wafers for solar cells 国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会发布2019-06-01实施GB/ 1 26071 - 2018 一一增加了产品牌号的表示方法(见4.1; 一一将产品分类中“按外形可分为准方形和圆形两种”修改为“按外形可分为准方形和方形两种”,标准中删除了圆形分类及其要求,增加了方形(见4.2.2,2010年版的4.1; 一一产品尺寸由“准方形硅片按其边长分为125mm 125 mm、156mm 156 mm”修改为“准方形硅片按其边长分为100.75mm、125.75mm、156I ,156 II、156皿、161.75mm、210.75mm气见4.2.2,2010年版的4.2;一一删除了圆形硅片的尺寸,增加了“方形硅片按其尺寸可分为100.75 mm、125.75 mm、156.75 mm、210.75mm”的要求〈见4.2.2,2010年版的4.2;一一增加了理化性能,即“硅片的晶体完整性、氧含量和碳含量应符合GB/T25076的规定。如有需要,由供方提供各项检验结果”(见5.1; 一一增加了硅片厚度"130土15、140土15、150土15、170土20”相对应的要求;删除了硅片厚度“220土20、240士2。”相对应的要求;修改了翘曲度指标要求(见5.2.1,2010年版的4.3.1;一一修改了准方形硅片尺寸的要求(见5.2.2,2010年版的4.3.2;一一增加了方形硅片尺寸的要求(见5.2.3;一一删除了“硅片的导电类型、掺杂剂、少数载流子寿命和晶体完整性应符合GB/T25076的规定”(见2010年版的4.3.3.1;一一电学性能参数中的电阻率范围下限由0.5 n . cm改为P型0.2n cm,N型0.1.a cm IT.I 5.3.2 ,2010年版的4.3.3.2;一一修改了晶向偏离度的要求〈见5.4,2010年版的4.3.4;一一修改了硅片线痕深度、崩边、缺口的要求(见5.5,2010年版的4.3.5;一一修改了导电类型和晶向的检查水平〈见表6,2010年版的表的。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/ SC 2)共同提出并归口。本标准自全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会CSAC/TC203/ SC 2)共同提出并归口。本标准起草单位浙江省硅材料质量检验中心、有研半导体材料有限公司、泰州隆基乐叶光伏科技有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环光伏材料有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院。本标准主要起草人楼春兰、毛卫中、邹剑秋、汪新华、孙燕、杨索心、刘培东、富龙飞、邓浩、李建弘、徐博、词,国华、张军。本标准所代替标准的历次版本发布情况为一-GB/T26071-2010。I GB/T 2607 1-2018 太阳能电池用硅单晶片1 范围本标准规定了太阳能电池用硅单晶片〈简称硅片〉的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同〉内容等。本标准适用于曲直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片,产品用于制作太阳能电池的衬底片。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/ T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/ T 1551 硅单晶电阻率测定方法GB/ T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/ T 2828.1- 2012 计数抽样检验程序第1部分按接收质量限CAQL)检索的逐批检验抽样计划GB/ T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/ T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/ T 6619 硅片弯曲度测试方法GB/ T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/ T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法GB/ T 14140 硅片直径测量方法GB/ T 14264 半导体材料术语GB/ T 14844 半导体材料牌号表示方法GB/ T 25076 太阳能电池用硅单晶GB/ T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法GB/ T 30859 太阳能电池用硅片翘由度和波纹度测试方法GB/ T 30860 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法GB/ T 30869 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法YS/ T 28 硅片包装3 术语和定义GB/ T 14264界定的术语和定义适用于本文件。4 分类4. 1 牌号硅片牌号的表示按GB/T14844的规定进行。1 GB/ T 2607 1-2018 4.2 分类4.2. 1 硅片按导电类型分为P型、N型两种。4.2.2 硅片按外形可分为准方形和方形两种。准方形硅片按其边长分为100.75mm、125.75mm、1561、156 II、156田、161.75 mm、210.75 mm;方形硅片按其边长可分为100.75 mm、125.75 mm、156.75 mm、210.75mm;其他尺寸可由供需双方协商确定。5 要求5. 1 理化性能硅片的晶体完整性、氧含量和碳含量应符合GB/T25076的规定。如有需要,由供方提供各项检验结果。5.2 外形尺寸5.2. 1 几何参数硅片的几何参数应符合表1的规定,如需方有其他要求时,由供需双方协商确定。表1几何参数单位为微米j亨度及允许偏差总JI}度变化TTV弯曲度bow翘向度warp130士15 254二404二40140士15150士15160士15170士20 30主三504二50180士20190士20200士205.2.2 准方形硅片外形尺寸准方形硅片的外形如图1所示,尺寸应符合表2的规定。需方有其他要求时,由供需双方协商确定。2 GB/ 1 2607 1-2018 一-二,,, -- 『、、,, ,FtttF’’『l‘111““ / 也』气\,,, 、‘』--F c F A 说明A一一边长;C一一弦长;/)一一崖径;F一一弧线在边长A上的投影。固1准方形硅片外形示意图表2准方形硅片尺寸单位为毫米尺寸标称尺寸边长A且径/J100. 75 l 00. 7 5士0.25126土0.25125. 75 125. 7 5士0.25151 0.25 156 I 156.00土0.25200土0.25is6 n 156.75士0.252050.25 156囚156. 7 5土0.25210土0.25161. 75 161. 75土0.252110.25 210. 75 210.75土0.25291土0.255.2.3 方形硅片外形尺寸方形硅片的外形如图2所示,尺寸应符合表3的规定。需方有其他要求时,由供需双方协商确定。3 GB/ T 26071- 2018 \ / Q d、α c-A 说明A一一边长;G一一对角线长皮;C一一倒角后边长iH一一倒角长度;E一一倒角后的对角线长度;α一一倒角角度。图2方形硅片外形示意图表3方形硅片尺寸单位为毫米尺寸标称尺寸边长A对角钱长度(;锦j角长度H100. 75 100. 75土0.25142.4士0.51.25土0.75 125. 75 125. 75土0.25177.8土0.51.25土0.75156.75 156 . 75土0.25221.6土0.51.25土0.75 210. 75 210. 75士0.25298.0士0.51.25土0.75 5.2.4 垂直度硅片相邻两边长(A)之间的垂直度为90。土0.了。5.3 电学性能硅片的电学性能应符合表4的规定。如对电学性能有其他要求,由供需双方协商确定。表4电学性能导电类型品向电阻率径向电阻率变化载流子复合寿命 。cms p 100 0.2 6.0 15 注10N 100 0.1 20.0 20二三605.4 晶向及晶向偏离度硅片的晶向为(100),晶向偏离度应不大于2。。硅片四个边缘晶向为(100)土2。。4 GB/ T 26071- 2018 5.5 表面质量硅片的表面质量应符合表5的规定。表5表面质量项目要求线痕深度不大于15m 裂纹无崩边每片不超过2个,宽小于0.5mm,径深;J、于0.3mm 缺口无子Lr同无色差无明显色差6 试验方法6. 1 厚度和总厚度变化的测量按GB/T6618或GB/T30869的规定进行。仲裁方法按GB/T6618的规定进行。6.2 弯曲度的测量按GB/T6619的规定进行。6.3 翘曲度的测量按GB/T6620或GB/T30859的规定进行。仲裁方法按GB/T6620的规定进行。6.4 直径的测量按GB/T14140的规定进行。6.5 除厚度、总厚度变化、弯曲皮、翘曲度、直径外的外形尺寸的测量用游标卡尺或相应精度的量具进行。6.6 导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。6.7 电阻率的测试按GB/T6616的规定进行,也可按GB/T1551的规定进行。仲裁方法按GB/ T 6616的规定进行。6.8 径向电阻率变化的测试按GB/T11073的规定进行,测试点的选择方案和径向电阻率变化计算公式的选择由供需双方协商确定。6.9 载流子复合寿命的测试按GB/T26068的规定进行,或按照供需双方协商确定的方法进行。6. 10 晶向及晶向偏离度的测试按GB/T1555规定进行。6. 11 除线痕外的表面质量在430Ix 650 Ix光强度的荧光灯或乳白灯下目视检查。线痕深度的测量按GB/T30860的规定进行。7 检验规则7. 1 检查和验收7. 1. 1 产品应由供方技术(质量〉监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准和订货单(或合同)的规定,并填写产品质量证明书。7. 1.2 需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验,若检验结果与本标准或订货单(合同〉的规定不符时,应在收到产品之日起3个月内向供方提出,由供需双方协商解决。7.2 组批产品应成批提交验收。每批应由相同外形尺寸、相同导电类型、相同电阻率范围的硅片组成。5 GB/1 26071一20187.3 检验项目7 .3. 1 每批产品应对外形尺寸、导电类型、电阻率、径向电阻率变化、晶向、晶向偏离度、表面质量进行检验。7.3.2 载流子复合寿命是否检验由供需双方协商确定。7.4 取样7 .4. 1 除载流子复合寿命外的项目检验取样按GB/T2828.1一2012一般检验水平E,正常检验一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定的抽样方案进行。7.4.2 载流子复合寿命的检验结果由供方提供,或载流子复合寿命的检验取样由供需双方协商。7.5 检验结果的判定7 .5. 1 硅片检验的接收质量限见表60表6接收质量限序号检验项目一般检验水平接收质量限(AQL1 厚度II 1.0 2 总厚度变化II 1.0 3 弯曲I度II 1.0 4 翘由度II 1.0 5 直径II 1.0 6 边长II 1.0 7 对角线长度II 1.0 8 倒角长度II 1.0 9 垂直度II 1.0 10 导电类型II 0.01 11 电阻率II 1.0 12 径向电阻率变化[[ 1.0 13 品向II 0.01 14 品向偏离度II 1.0 线痕深度Il 1.0 裂纹II 1.0 崩边II 1.0 15 表面质盐缺口II 1.0 孔洞II 1.0 累计一2.5 7.5.2 载流子复合寿命检验结果的判定由供需双方协商。6 8 标志、包装、运输、贮存和质量证明书8. 1 标志产品包装箱外应标有“小心轻放”“防腐”“防潮”字样或标志,并注明a 供方名称;的产品名称;c 产品数量。8.2 包装产品包装按YS/T28的规定进行,或由供需双方协商确定。8.3 运输产品在运输过程中应轻装轻卸,严禁抛掷,且应采取防震、防潮措施。8.4 贮存产品应贮存在清洁、干燥环境中。8.5 质量证明书每批产品应附上质量证明书,其上注明a 供方名称;b 产品名称或牌号;c 产品批号;d 产品片数;e 各项检验结果及检验部门印记;f 本标准编号;g 出厂日期。9 订货单(或合同〉内窑订购本标准所列产品的订货单(或合同)应包含下列内容a 产品名称;b 产品要求;c 数量;d 本标准编号;e 供需双方协商确定的其他要求。GB/T 26071-2018 7

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